東芝デバイス&ストレージ:産業用機器の高効率化・小型化に貢献する1200V/1700V 耐圧SiC MOSFETモジュールを発売

東芝デバイス&ストレージは、産業用機器向けにシリコンカーバイド(SiC)MOSFETチップを搭載したDual SiC MOSFETモジュール2品種、耐圧1200V、ドレイン電流定格600Aの「MG600Q2YMS3」と、耐圧1700V、ドレイン電流定格400Aの「MG400V2YMS3」を製品化し、量産を開始した。

 新製品MG600Q2YMS3とMG400V2YMS3は、東芝デバイス&ストレージ初の1200V、1700V耐圧の SiC MOSFETモジュールで、先行リリースしたMG800FXF2YMS3と合わせて、耐圧1200V/1700V/3300Vのラインアップとなる。また、一般的なシリコン(Si)IGBTモジュールと同パッケージのため、取り付け互換がある。さらに、一般的なSi IGBTモジュールと比べて低損失特性を実現しており、鉄道車両向けインバーターやコンバーター、再生可能エネルギー発電システムなど産業用機器の高効率化や小型化に貢献する。

応用機器

  • 鉄道車両向けインバーター・コンバーター
  • 再生可能エネルギー発電システム
  • モーター制御機器
  • 高周波絶縁DC-DCコンバーター

新製品の主な特長

  • 一般的なSi IGBTモジュールと取り付け互換のあるパッケージ
  • 一般的なSi IGBTモジュールと比べて低損失特性を実現
    MG600Q2YMS3
     VDS(on)sense =0.9V (typ.) @ID=600A、Tch=25°C
     Eon=25mJ (typ.)、Eoff=28mJ (typ.) @VDS=600V、ID=600A、Tch=150°C
    MG400V2YMS3
     VDS(on)sense=0.8V (typ.) @ID=400A、Tch=25°C
     Eon=28mJ (typ.)、Eoff=27mJ (typ.) @VDS=900V、ID=400A、Tch=150°C
  • サーミスター内蔵
新製品の主な仕様(特に指定のない限り、@TC=25°C)

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