東芝デバイス&ストレージ:高ピーク出力電流、薄型パッケージのIGBT/MOSFETゲート駆動用フォトカプラーを発売

東芝デバイス&ストレージは、小・中容量IGBT/MOSFETのゲート絶縁駆動用に薄型SO6Lパッケージのフォトカプラー「TLP5705H」および「TLP5702H」を製品化し、11月30日から出荷を開始する。

 TLP5705Hは、高さが2.3mm(max)の薄型パッケージ(SO6L)でピーク出力電流定格±5.0Aを実現した、東芝デバイス&ストレージ初の製品。これにより、電流増幅用バッファー回路を使用する、低容量から中容量以上のインバーターやサーボなどのモデルに対しても、バッファー回路無しでフォトカプラーからIGBT/MOSFETを直接駆動することができ、部品点数削減、セットの小型化に貢献する。

 TLP5702Hは、ピーク出力電流定格が±2.5A。同社従来のSDIP6パッケージ[注1]のランドパターンに実装可能なSO6Lパッケージにより、同社従来製品[注2]からの置き換えが容易。さらに、SDIP6パッケージ製品よりもパッケージが薄いため、新規の回路設計では、セット基板上の部品配置自由度が向上し、基板裏面への実装や高さ制限のある場所で使用できる。

 TLP5702HとTLP5705Hは、最大動作温度定格125℃に対応しており、主要特性の動作温度定格(Ta)を−40から125℃で規格化した。これにより、熱設計マージンの確保や設計がしやすくなっている。

 また、リードフォーミングオプションのSO6L(LF4)パッケージを採用した、TLP5702H(LF4)とTLP5705H(LF4)も製品化している。

注1 パッケージの高さ : 4.25mm(max)
注2 従来製品 : SDIP6パッケージ TLP700H

新製品の主な特長

  • 大きいピーク出力電流定格(@Ta=-40~125℃)
    IOP=±2.5A(TLP5702H)
    IOP=±5.0A(TLP5705H)
  • 薄型SO6Lパッケージ
  • 高い動作温度定格 : Topr(max)=125℃
  • 応用機器:産業用機器(汎用インバーター、ACサーボアンプ、PVインバーター、UPSなど)
新製品の主な仕様
(特に指定のない限り、@Ta=-40~125°C)

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