テクノロジー 電力損失2分の1! 次世代パワー半導体向けSiCウェハの製造技術もトヨタはグループで手の内化した【写真・5枚目】 SiCパワー半導体(イメージ) 2010年代にデンソーで見せてもらったSiCの元になるアチソン結晶。研磨剤の副産物として得られるもので、この結晶は屋久島産。自然界にはダイヤモンドと違ってSiCの単結晶はほとんど存在しない。 SiCウェハ この画像の記事を読む