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東芝デバイス&ストレージ:80V耐圧NチャネルパワーMOSFETを発売、電源の高効率化に貢献する最新世代プロセス採用

  • 2020/03/31
  • Motor Fan illustrated編集部
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東芝デバイス&ストレージは、データセンターや通信基地局などの産業機器向けスイッチング電源に適した最新世代プロセスを採用した、80V耐圧NチャネルパワーMOSFET 「U-MOS X-Hシリーズ」を発売した。表面実装タイプパッケージSOP Advance採用の「TPH2R408QM」、TSON Advance採用の「TPN19008QM」をラインアップし、3月30日から順次出荷を開始する。

 最新世代プロセス「U-MOS X-Hシリーズ」80V耐圧製品は、従来世代プロセス「U-MOS Ⅷ-Hシリーズ」80V耐圧製品と比べて、ドレイン・ソース間オン抵抗を約40%低減。さらに、素子構造を最適化し、ドレイン・ソース間オン抵抗とゲート電荷量特性[注1]のトレードオフを改善[注2]した。これにより、業界トップ[注3]の低損失を実現した。

■ 新製品の主な特長
・業界トップ[注3]の低損失を実現 (オン抵抗とゲート電荷量特性のトレードオフを改善[注2])
・業界トップクラス[注3]の低オン抵抗 :
RDS(ON)=2.43mΩ (max) @VGS=10V (TPH2R40QM)
RDS(ON)=19mΩ (max) @VGS=10V (TPN19008QM)
・高いチャネル温度定格 : Tch=175℃

■ 応用機器
・スイッチング電源 (高効率AC-DCコンバーター、高効率DC-DCコンバーターなど)
・モーター制御機器 (モータードライブなど)

新製品の主な仕様 (特に指定のない限り、@Ta=25℃)

[注1] ゲート入力電荷量、ゲートスイッチ電荷量、出力電荷量
[注2] TPH2R408QMの場合、既存製品TPH4R008NH (U-MOSⅧ-Hシリーズ) と比べて、ドレイン・ソース間オン抵抗xゲート入力電荷量を約15%改善、ドレイン・ソース間オン抵抗xゲートスイッチ電荷量を約10%改善、ドレイン・ソース間オン抵抗x出力電荷量を約31%改善。
[注3] 2020年3月30日現在。同社調べ。

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