近年、脱炭素社会の実現に貢献するキーデバイスとして、電力を効率よく変換するパワー半導体の需要が拡大・多様化している。なかでも電力損失の大幅な低減が可能なSiCパワー半導体への期待が高まっている。また、大型産業機器向けのパワー半導体モジュールは、鉄道車両の駆動システムや直流送電などの電力関連システムにおけるインバーターなどの電力変換機器に使用されており、さらなる電力変換効率の向上に向けた、高出力・高効率な製品の需要が拡大している。
三菱電機は、これまで「3.3kV HVパワーモジュール dualタイプ LV100」のSiパワーモジュール2品種、フルSiCパワーモジュール4品種を市場投入してきた。大型産業機器向けの多様なインバーターにおいて、今後のさらなる高出力・高効率化と信頼性向上に貢献するため、今回、SBD内蔵SiC-MOSFETの採用とパッケージ構造の最適化でスイッチング損失を低減しSiCの性能を引き出した「SBD内蔵SiC-MOSFETモジュール」のサンプル提供を開始する。
なお、本製品は「PCIM※4 Europe 2023」（5月9日～11日、於：ドイツ連邦共和国・ニュルンベルク）に出展された。
※1 Silicon Carbide：炭化ケイ素
※2 Schottky Barrier Diode
※3 Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor：金属酸化膜半導体製の電界効果トランジスタ
※4 Power Conversion Intelligent Motion