電力損失2分の1！ 次世代パワー半導体向けSiCウェハの製造技術もトヨタはグループで手の内化した | 4枚目の写真（全6枚）

「電力損失2分の1！ 次世代パワー半導体向けSiCウェハの製造技術もトヨタはグループで手の内化した」の1枚目の画像 2010年代にデンソーで見せてもらったSiCの元になるアチソン結晶。研磨剤の副産物として得られるもので、この結晶は屋久島産。自然界にはダイヤモンドと違ってSiCの単結晶はほとんど存在しない。
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「電力損失2分の1！ 次世代パワー半導体向けSiCウェハの製造技術もトヨタはグループで手の内化した」の6枚目の画像 SiCパワー半導体（イメージ）
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