東芝デバイス＆ストレージ：産業用機器の高効率化・小型化に貢献する1200V/1700V 耐圧SiC MOSFETモジュールを発売

　新製品MG600Q2YMS3とMG400V2YMS3は、東芝デバイス＆ストレージ初の1200V、1700V耐圧の SiC MOSFETモジュールで、先行リリースしたMG800FXF2YMS3と合わせて、耐圧1200V/1700V/3300Vのラインアップとなる。また、一般的なシリコン（Si）IGBTモジュールと同パッケージのため、取り付け互換がある。さらに、一般的なSi IGBTモジュールと比べて低損失特性を実現しており、鉄道車両向けインバーターやコンバーター、再生可能エネルギー発電システムなど産業用機器の高効率化や小型化に貢献する。

応用機器

• 鉄道車両向けインバーター・コンバーター
• 再生可能エネルギー発電システム
• モーター制御機器
• 高周波絶縁DC-DCコンバーター

新製品の主な特長

• 一般的なSi IGBTモジュールと取り付け互換のあるパッケージ
• 一般的なSi IGBTモジュールと比べて低損失特性を実現
  MG600Q2YMS3
  　V_DS(on)sense =0.9V (typ.) @I_D=600A、T_ch=25°C
  　E_on=25mJ (typ.)、E_off=28mJ (typ.) @V_DS=600V、I_D=600A、T_ch=150°C
  MG400V2YMS3
  　V_DS(on)sense=0.8V (typ.) @I_D=400A、T_ch=25°C
  　E_on=28mJ (typ.)、E_off=27mJ (typ.) @V_DS=900V、I_D=400A、T_ch=150°C
• サーミスター内蔵

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